First TRENCHSTOP 1200 V IGBT6 discrete produced on 12 inch wafer

 德国慕尼黑——2018年7月30日,英飞凌科技股份有限公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)推出一个新的1200 V IGBT代TRENCHSTOP™IGBT6。 这是第一离散IGBT duopack市场上生产的12英寸晶圆的大小。 新的IGBT技术旨在满足增加客户要求高效率和高功率密度。 产品族优化使用在硬开关和谐振拓扑操作在开关频率从15千赫至40 kHz。 IGBT6的典型应用不间断电源(UPS),太阳能逆变器、电池充电器和能源存储。

1200 V TRENCHSTOP IGBT6释放两个家庭。 S6系列特性最好的低饱和电压V之间的权衡CE(坐)1.85 V低切换损失。 编辑系列低开关损耗进行了优化。 应用程序测试证实的直接替代前任Highspeed3 IGBT新IGBT6 S6系列转化为0.2%的效率改进。 正温度系数允许容易和可靠设备并联。 此外,非常好g可控性允许调整IGBT的开关速度的要求相应的应用程序。

可用性

1200 V TRENCHSTOP IGBT6家庭在批量生产。 产品组合包括15和40 co-packed一半——或批量随心所欲的二极管- 247 - 3包。 一个行业领先的离散IGBT电流密度是由75年的一个变体co-packed 75 - 247 + 3中随心所欲的二极管销或4针包