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在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。 其他MOS管符号 （1）VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道。 VGS=0，ID=0 VGS必须大于0 管子才能工作。 （2）VGS》0时，在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通，形成导电沟道。 VGS》0→g吸引电子→反型层→导电沟道 VGS↑→反型层变厚→VDS↑→ID↑ （3）VGS≥VT时而VDS较小时： VDS↑→ID↑ VT：开启电压，在VDS作 用下开始导电时的VGS° VT=VGS—VDS （4）VGS》0且VDS增大到一定值后，靠近漏极的沟道被夹断，形成夹断区。 VDS↑→ID不变1、结构和符号（以N沟道增强型为例）
2、工作原理（以N沟道增强型为例）
